Quanta250/EDS 製造：㈱日本FEI 主な用途・特徴 水分量コントロール（ウェット観察）、高温加熱観察、高真空SEM観察 主な機能とオプション 電子銃：タングステン 分解能：3.0 nm（高真空：高加速電圧30 kV） 　　　　8.0 nm（低真空：低加速電圧3 kV） 　　　　3.0 nm（ESEM） 試料室真空度：6×10-4 Pa（高真空） 　　　　　　　10～130 Pa（低真空） 　　　　　　　10～2600 Pa（ESEM） 加速電圧：0.2～30 kV 照射電流：最大2 mA 倍率：x6～1,000,000 試料交換：ドローアウト方式 試料サイズ：最大φ100 mm、H50 mm 検出器：二次電子検出器：ETD(シンチレータ型)（高真空） 　　　　　　　　　　　LF-GSED（広視野型）（低真空） 　　　　　　　　　　　GSE型（超低真空） 半導体反射電子検出器 付属装置：赤外線CCDカメラ、加熱ステージ（最高1000℃）、冷却ステージ（-20～＋60℃） EDS（オックスフォード・インストゥルメンツ㈱）INCA Energy250 x-act

Quanta 250/EDS Manufactured by: FEI Japan Ltd. Main applications/features. -Water content control (wet observation), high temperature heating observation, high vacuum SEM observation Main functions and options Electron gun: tungsten Resolution: 3.0 nm (high vacuum: high acceleration voltage 30 kV) 　　　　8.0 nm (low vacuum: low acceleration voltage 3 kV) 　　　　3.0 nm (ESEM) Sample chamber vacuum: 6 × 10-4 Pa (high vacuum) 　　　　　　　10 to 130 Pa (low vacuum) 　　　　　　　10 to 2600 Pa (ESEM) Accelerating voltage: 0.2 to 30 kV Irradiation current: max. 2 mA Magnification: x6 to 1,000,000 Sample exchange: draw-out system Sample size: max. ø 100 mm, H 50 mm Detector: secondary electron detector: ETD (scintillator type) (high vacuum) 　　　　　　　　　　　LF-GSED (wide-field type) (low vacuum) 　　　　　　　　　　　GSE type (ultra-low vacuum) Semiconductor reflection electron detector Accessory equipment: infrared CCD camera, heating stage (up to 1000°C), cooling stage (-20 to +60°C) EDS (Oxford Instruments Ltd) INCA Energy250 x-act

製造：芝浦メカトロニクス㈱ 主な用途・特徴 ・ロードロック式タイプのスパッタリング装置 ・広範囲に分布が良いスパッタ源を搭載 主な機能とオプション スパッタ方式：サイドスパッタ スパッタ源：φ76mm × 4 基板ホルダーサイズ：φ220 mm、面内膜厚バラツキ±5%以内φ170 mm以内（SiO2） 到達圧力：5×10-4 Pa以下 排気時間：10分で7×10-3 Pa以下 加熱温度：最大300℃ ターゲット：ITO、Ti、SiO2、AZO、Ni、Al、TiO2、Cr、Ag、Si、Sn、Au、Pt、Ni-Cr、Ti-Ni、Cuなど （ターゲットについてはお問い合わせください）

Manufactured by: Shibaura Mechatronics Co. Main applications and features Load-lock type sputtering equipment Equipped with a sputtering source with good distribution over a wide area Main Functions and Options Sputtering method: Side sputtering Sputter source: φ76 mm × 4 Substrate holder size: φ220 mm, in-plane film thickness variation within ±5% φ170 mm (SiO2) Achievable pressure: 5 × 10-4 Pa or less Exhaust time: 7 × 10-3 Pa or less in 10 minutes Heating temperature: 300°C max. Target: ITO, Ti, SiO2, AZO, Ni, Al, TiO2, Cr, Ag, Si, Sn, Au, Pt, Ni-Cr, Ti-Ni, Cu, etc. (Please inquire about targets)

製造：Heiderberg Instruments Mikrotechnik 主な用途・特徴 ・フォトマスク作製、直描 主な機能とオプション 電子銃：ZrO/W熱電界放射型 加速電圧：80 kV、50 kV、25 kV 光源：Arイオンレーザ 波長：363 nm、出力：180 mW 最大基板サイズ：9 インチ×9 インチ 最大描画サイズ：200×200 mm 最小描画サイズ：1.0 μm 最小アドレス・グリッド: 10 nm 描画スピード：29～416 mm2/分 3D露光モード アライメント用カメラシステム データフォーマット：DXF（推奨）、GDSll（推奨）、CIF、Gerber、BMP、Ascii、STL グレースケール露光対応

Manufacture: Heiderberg Instruments Mikrotechnik Main applications/features. Photomask production, direct writing Main features and options Electron gun: ZrO/W thermal field emission type Accelerating voltage: 80 kV, 50 kV, 25 kV Light source: Ar ion laser Wavelength: 363 nm, output: 180 mW Maximum substrate size: 9 in. x 9 in. Maximum writing size: 200 x 200 mm Minimum writing size: 1.0 µm Minimum address grid: 10 nm Writing speed: 29 - 416 mm2/min 3D exposure mode Camera system for alignment Data formats: DXF (recommended), GDSll (recommended), CIF, Gerber, BMP, Ascii, STL Grayscale exposure supported

製造：ズース・マイクロテック（株） 主な用途・特徴 ・フォトレジストのスピンコート、スプレーコート、現像、ベーク、ベーパープライムを全自動でプロセス可能 ・高い均一性、再現性 ・25～50枚までのウエハーを連続処理可能 主な機能とオプション 対応基板サイズ：2、3、4インチ、異形基板にも一部対応可能 ウエハーハンドリング：全自動、レシピ作成可能 持ち込みレジストの塗布にも対応 ベイク可能温度範囲：60～250℃ スピンコート均一性：±1.0%以内（膜厚10 μmにおいて） 設置レジスト：OFPR 800LB 23cp、AZP4620

Manufactured by: Zuse Microtech Ltd. Main applications/features. Fully automatic process for spin-coating, spray-coating, developing, baking and vapour priming of photoresist. High uniformity and reproducibility. Continuous processing of up to 25-50 wafers. Main features and options Compatible substrate sizes: 2, 3 and 4 inch, some odd-shaped substrates can also be handled. Wafer handling: fully automatic, recipes can be created. Can also be used for applying resist brought in from the factory. Bakeable temperature range: 60-250°C Spin-coating uniformity: within ±1.0% (at 10 µm film thickness) Installed resists: OFPR 800LB 23cp, AZP4620

製造：SCIVAX㈱ 主な用途・特徴 ・微細構造成形 主な機能とオプション 形式：熱式、UV式 転写方式：一括転写 最大成形サイズ：φ150 mm（熱式）、100 mm角（UV式） 被転写材料：UV硬化樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂 最高使用温度：650℃ 最大荷重力：50 kN ステージ速度：最大15 mm/sec 最小50 nm/sec、任意設定可能、バックラッシュキャンセル機構 最大ワークサイズ：φ150 mm ワーク保持：真空吸着 UV機能：波長 365nm/385nm、有効照射面積 100 mm角、最大加圧力 2 MPa、 最大操作温度 100℃ 真空機能：真空チャンバー付属，真空到達圧力 300Pa

Manufacture: SCIVAX Co. Main applications/features. Microstructure forming Main features and options Type: thermal, UV Transfer method: batch transfer Maximum moulding size: ø 150 mm (thermal type), 100 mm square (UV type) Materials to be transferred: UV-cured resin, thermoplastic resin, thermosetting resin. Maximum operating temperature: 650 °C Maximum load capacity: 50 kN. Stage speed: max. 15 mm/sec min. 50 nm/sec, optionally settable, backlash cancellation mechanism Max. workpiece size: 150 mm dia. Workpiece holding: vacuum suction. UV function: wavelength 365 nm/385 nm, effective irradiation area 100 mm square, max. applied pressure 2 MPa, max. Max. operating temperature 100 °C Vacuum function: vacuum chamber included, attained vacuum pressure 300 Pa.

製造：アルバック㈱ 主な用途・特徴 ・石英などのドライエッチング ・磁気中性線プラズマ（NLD）による低圧・低電子温度・高密度プラズマを搭載した ドライエッチング装置 ・パイレックスやホウケイ酸ガラスなど不純物の多いガラス加工も形状や表面平滑性に優れたエッチングが可能 ・石英やガラスのディープエッチング（100 μm以上）にもマスクとして厚膜レジストの使用が可能 ・高速エッチングが可能（石英＞1 μm/min、Pyrex＞0.8 μm/min） 主な機能とオプション プラズマ源：磁気中性線プラズマ（NLD） 基板サイズ：φ150 mm 基板ステージ：メカチャック、チラー温度制御（-20～40℃）、He冷却機構 高周波電源：アンテナ：2 kW（13.56 MHz）、バイアス：600 W（12.5 MHz） 排気系：エッチング室：TMP（2800 L/sec）+DRP ガス導入系：CHF3、C3F8、SF6、O2、Ar、N2、He 用途 ：石英のみ、石英以外は要相談 その他：ロードロック室

Manufactured by ULVAC Co. Main applications/features Dry etching of quartz, etc. Dry etching equipment with low pressure, low electron temperature and high density plasma by magnetic neutral beam plasma (NLD). Dry etching equipment with low pressure, low electron temperature and high density plasma by magnetic neutral beam plasma (NLD) Dry etching equipment with low-pressure, low-electron temperature and high-density plasma using magnetic neutral beam plasma (NLD). Etching with excellent shape and surface smoothness is possible. Thick film resist can be used as a mask for deep etching (100 µm or more) of quartz and glass. Thick film resist can be used as a mask for deep etching (100 μm or more) of quartz and glass High-speed etching is possible (quartz > 1 μm/min, Pyrex > 0.8 μm/min). Main functions and options Plasma source: magnetic neutral beam plasma (NLD) Substrate size: ø 150 mm Substrate stage: mechanical chuck, chiller temperature control (-20 to 40 °C), He cooling mechanism RF power supply: antenna: 2 kW (13.56 MHz), bias: 600 W (12.5 MHz) Exhaust system: etching chamber: TMP (2800 L/sec) + DRP Gas introduction system: CHF3, C3F8, SF6, O2, Ar, N2, He Applications: Quartz only, other than quartz, please consult. Other : Load lock chamber